Joo tuolla tavalla monesti toimitaan ja se on ollut ja on edelleenkin ihan kurantti tapa. Katsotaan nyt mitä tässä lopulta tehdään, pitkälti riippuu syntyvän häviötehon absoluuttitasosta nimellisvirralla.
Nyt pääpiirin kytkimiksi valitut modernia ajattelua edustavat Infineonin TDFN-8 -pakettiin pakatut fetit ei sovellu siilikiinnitykseen. Ne on suuniteltu jäähtymään piirilevyn kautta siten, että levyllä on riittävästi kuparipintaa joka hajottaa lämmön. Sitä silmällä pitäen levystä on tulossa 4-kerroksinen 2oz kuparilla jolloin riittävä lämmön hajaantuminen saadaan aikaan. Lämpövirran pitää toki lopulta päätyä ympäröivään ilmaan, joten aivan termospulloon piirilevyä ei saa laittaa. Metallikotelon läpi se saattaa kuitenkin jäähtyä riittävästi ilman mitään erikoistoimenpiteitä. Tämä laskenta on kuitenkin vielä suorittamatta.
Sen verran jo tiedetään, että valituilla feteillä johtokanavan maksimihäviö (10A virta, 100% pulssisuhde) on 0,43 W. Tähän päälle hilavarauksen kuskamisesta aiheutuvat kytkentähäviöt niin ollaan lähellä wattia, riippuen valitusta taajuudesta. Pieniä lisähäviöitä syntyy kytkinten substraattidiodien toipumisvarauksen siirtelystä, mutta sitä on pyritty pienentämään optionaalisilla ohitusdiodeilla D103, D104. Hyvin valittu Schottky-diodi parantaa hyötysuhdetta prosenttiyksikön tai pari jolloin jos planeetat on oikeassa asennossa niin joku 96 -97%, jopa vähän yli ei ole mahdotonta.
Siispä ensin lasketaan, sitten labrataan ja sitten ostetaan siilejä jos ei vaan onnistu 